金吾財訊 | 美光（MU）宣佈放棄4F² DRAM技術方案，將重點研發3D DRAM，以此作為下一代技術革新方向。三星、SK海力士（SKHY）以及中國長鑫存儲等同行企業，則仍在推進4F²技術研發。Wedbush分析師Matt Bryson在投資者報告中表示，美光認為4F²存在兩大根本性缺陷：一是發展到一定階段後不存在進一步微縮演進路徑；二是存儲密度由電容器間距決定，而非存儲單元佈局。即便在早期工藝節點，4F²技術也具備更高複雜度，成本也更為高昂。Wedbush方面認可美光的這一戰略抉擇。Bryson指出，美光在技術迭代過程中設計迭代進度領先多數同行，已經從大幅落後韓日存儲廠商，成長為DRAM與NAND領域均可提供行業頂尖水準產品的企業。這一轉變過程中，美光曾多次選擇不同技術路線並落地執行，包括早期在NAND產品上採用CMOS陣列下技術，美光在該技術上取得的成果顯著優於同行，後續又轉向EUV光刻技術。