快科技8月26日消息，在芯片製程從FinFET向GAA環繞柵極結構演進、器件尺度持續微縮的背景下，傳統光學檢測已無法滿足精度要求，電子束檢測速度又太慢。

EUV量檢測憑藉高分辨率、高速度和無損檢測的優勢，成為先進製程的必然選擇。ASML在EUV光刻領域的統治地位人所共知，但鮮有人注意到其在EUV量檢測領域同樣築起了「第二道防線」。

如今，這道防線正被國產力量撕開缺口——華芯極光、朗道科技、雲棲極耀、華日激光、皓宇芯光五家中國企業已率先入局，從光源研發到系統集成初步形成國產化矩陣。

EUV光源是量檢測設備的核心，目前極紫外光源主要有三條技術路線。LPP（激光等離子體光源）和DPP（放電等離子體光源）功率高但造價昂貴，前者主要應用於EUV光刻機，後者多用於在線量測；加速器光源體積龐大，不適用於產線部署；HHG（高次諧波產生）光源可實現桌面化部署、波長可調、成本可控。

國際半導體技術路線圖（IRDS 2024）已明確將HHG定義為下一代EUV量測的核心技術。國內企業中，皓宇芯光正是主攻HHG路線，其HHG-EUV光源檢測分辨率優於DUV光源10倍以上。

需要指出的是，五家企業的佈局各有側重。華芯極光由師從2023諾貝爾物理學獎得主的林楠教授創立，曾在ASML研究部工作多年，手握120餘項國際光源專利。專注於LPP-EUV光源中液滴錫靶的產生、動力學行為調控與精確測量等核心環節。

朗道科技聚焦LPP-EUV光源研發，創始團隊源於清華大學氣體放電等離子體實驗室，已完成A輪孖展。

雲棲極耀從事緊湊型等離子體光源研發，已獲中芯聚源等五家機構天使輪孖展。

華日激光依託華中科技大學陸培祥團隊技術積累，推動EUV相干光源產業化。

皓宇芯光專注HHG EUV光源路線，已覆蓋軟X射線到真空紫外全光譜區間。

不過，國產EUV量檢測的挑戰同樣存在。LPP光源對液滴錫靶精度要求極高，HHG光源功率仍處於毫瓦至瓦級，產業化周期漫長。

但隨着高亮度相干EUV光源技術的持續進步，以及相干衍射成像、散射量測等技術的深度融合，國產EUV量檢測工具有望在掩模缺陷檢測、晶圓三維量測、光刻膠表徵等關鍵環節實現突破。