TradingKey - 過去一周，存儲芯片板塊再度成為美股焦點。美東時間8月13日，閃迪（SNDK）投資者日釋放長期利好，當日股價大漲13.67%；SK海力士ADR（SKHY）漲7.3%，美光科技（MU）、西部數據（WDC）、希捷（STX）同步跟漲。

從周漲幅來看，漲勢更為可觀。過去一周（8月10日至14日），閃迪累計上漲35.38%，SK海力士ADR漲20.61%，美光科技漲10.72%。存儲板塊整體表現遠超大盤，同期納斯達克僅微漲0.14%。

Roundhill Memory ETF（DRAM）自7月24日低點反彈約30%，存儲行情熱度正高，而對投資者來說，現在追漲這隻4月才成立的ETF，還划算嗎？

【來源：TradingView】

DRAM ETF是什麼？

2026年4月2日，Roundhill Investments推出全球首隻純內存主題ETF，填補了芯片細分領域的空白。與寬泛的半導體ETF不同，DRAM ETF設定了嚴苛的選股門檻：公司存儲業務收入佔比須超過50%，從而避免被芯片設計、設備製造等非核心業務稀釋持倉純度。該產品採用主動管理策略，管理費率為0.65%，每季度調倉一次。

該ETF持倉高度集中，截至2026年8月16日，前三大重倉股美光科技（25.42%）、三星電子（25.4%）、SK海力士（20.44%）合計佔比超七成。其餘成分股依次為希捷、閃迪、CXMT、西部數據、鎧俠、南亞科及華邦電。

【來源：Roundhill Investments】

支撐DRAM上漲的因素是什麼？

本輪反彈的基礎是真實的供需缺口，而非題材炒作。美光CEO Sanjay Mehrotra公開表示，目前只能滿足部分關鍵客戶50%至三分之二的需求，他將此稱為「有史以來最大的供需缺口」。

價格端是供需缺口最直接的印證。DDR5（16Gb）現貨價自2025年11月至2026年6月底上升逾4倍；據TrendForce數據顯示，一般型DRAM合約價2026年第一季度按月漲93%至98%，第二季度續漲53%至58%。

更關鍵的是，HBM單顆粒消耗的晶圓資源是標準DDR5的3至4倍，持續擠佔通用DRAM產能。

部分廠商已給出極其樂觀的盈利預期，閃迪在投資者日指出，預計2028至2030財年非GAAP毛利率維持在約80%的水平。此外，公司明確表示，未來三年完成業務投資後，將把100%剩餘現金回饋股東。

估值方面，閃迪當前市盈率約19.51倍，看似溫和，但低PE的背後是盈利增速遠超股價漲幅，美光2026財年第三季度營收按年增長345.7%，閃迪第四財季按年增長372%。當盈利以如此速度擴張，靜態市盈率已系統性滯後於基本面。

DRAM ETF值得注意的風險有哪些？

集中度是首要風險。截至2026年8月16日，DRAM ETF前三大持倉為三星電子、美光、SK海力士，合計超70%。存儲邏輯一旦逆轉，淨值回撤會同樣劇烈。此外，三星與SK海力士合計佔近半權重，基金還承擔韓元匯率敞口。

周期分歧同樣不容忽視。高盛（GS）預計供需緊張持續至2028年，交銀國際判斷至少到2027年第四季度；但摩根士丹利（MS）預計DRAM合約價按年增速在2026年四季度見頂。增速見頂不等於價格下跌，但市場通常會提前反映預期變化。

此外，ETF波動本身也是不可忽視的因素，該ETF自6月22日觸及81.34美元后，至7月下旬最大回撤接近35%。管理團隊8月初的調倉也釋放了謹慎信號：納入長鑫科技的同時，連續三個交易日減持三星電子約300萬股，套現約4.32億美元。

現在該不該買DRAM ETF？

對熟悉存儲產業節奏、能承受大幅波動的交易型投資者來說，DRAM ETF仍是高彈性的優先選擇。核心邏輯在於AI產能擠佔是結構性的，2027年產能售罄提供了盈利底線。更穩妥的做法是分批建倉，而非一次性追入。此外，美光2026財年第四季度財報披露在即，業績是否符合預期將直接影響短期方向。

對追求長期穩健配置的投資者，眼下未必是最佳買點。該ETF自7月低點已反彈約30%，短期催化已被市場部分消化；摩根士丹利的增速見頂預警與高盛的2028年看多同時存在，說明後續波動不會小。

存儲超級周期的中長期邏輯大概率尚未結束，但"周期未結束"和"此刻買入合理"之間，還隔着一個買入價格的問題。DRAM ETF本質上是個工具，價值主要取決於使用者的節奏和風險承受能力。

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