通用DRAM漲價放緩,三星、SK 海力士、美光開啓HBM4良率攻堅戰

環球市場播報
昨天

費城半導體指數大升逾 4%, SK海力士飆11%, 美光科技 大升 10%。

全球三大存儲芯片廠商正式開啓第四代高帶寬內存(HBM4)良率攻堅戰。此前通用DRAM漲價為存儲企業業績提供支撐,但如今其漲幅已然放緩,各家企業試圖拉高高利潤率HBM產品競爭力,以此最大化經營收益。

業內消息顯示,三星電子SK海力士美光三大存儲巨頭均在推行HBM4良率提升戰略。HBM4是第六代高帶寬內存產品,將搭載於英偉達下半年推出的AI加速芯片Vera Rubin等產品中。

三家企業裏,三星電子最先實現HBM4量產,隨着產線轉入大規模生產階段,良率提升速度十分可觀。業內部分觀點認為,三星HBM4良率已提升至70%左右。依託數月量產積累的經驗,其良率管控能力大幅改善。三星HBM4良率提升的核心依託自家1C工藝DRAM打底,今年年初該款基礎DRAM生產良率就已突破穩定量產門檻80%,為HBM4良率走高提供支撐。

SK海力士暫未對外披露HBM4具體良率數值,但行業普遍判斷其良率也已步入穩定區間。為優化HBM4工藝、擴充產能,SK海力士計劃引進全新生產設備,目前正與多家HBM設備供應商洽談下半年設備採購訂單。

半導體設備行業高層人士透露:「SK海力士正籌備追加設備採購以擴充HBM4產能,此舉主要為改善良率、提升產品供貨量。」SK海力士的戰略目標是,在HBM4產品上延續自身在HBM市場過半的龍頭份額優勢。

美光在產能規模上不及韓國兩家存儲廠商,正因如此,美光正全力提速良率改善與產能擴張。據悉美光已啓動大規模設備投資,同步推進良率提升與產能爬坡。

良率的行業意義

良率指全部產出芯片中功能完好、可正常使用產品的佔比。良率越高,可對外供貨的芯片數量越多,企業盈利隨之提升,這也是各大芯片廠商拼盡全力改善良率的根本原因。

HBM4將成為下半年決定存儲企業業績走向的核心產品。通常HBM的營業利潤率遠高於通用DRAM,但此前受通用DRAM供給短缺影響,一度出現利潤率倒掛的特殊現象——廠商售賣服務器、電腦、手機用通用DRAM,利潤反而高於HBM。

不過市場預判通用DRAM漲價幅度將持續收窄,HBM再度成為拉動業績的關鍵王牌。一季度通用DRAM價格按月漲幅接近翻倍,業內預估二季度漲幅回落至30%~50%,三季度漲幅進一步收窄至0~20%。

反觀HBM,市場需求持續擴張,價格上漲行情仍將延續一段時間,穩固其高收益核心產品的地位。

業內相關人士表示:「三星電子率先量產HBM4,良率提升帶來供貨量、利潤雙增長,相關利好已在二季度財報中充分體現。該增長趨勢預計延續至下半年,三大存儲廠商之間的良率提升競爭將會愈發白熱化。」

免責聲明:投資有風險,本文並非投資建議,以上內容不應被視為任何金融產品的購買或出售要約、建議或邀請,作者或其他用戶的任何相關討論、評論或帖子也不應被視為此類內容。本文僅供一般參考,不考慮您的個人投資目標、財務狀況或需求。TTM對信息的準確性和完整性不承擔任何責任或保證,投資者應自行研究並在投資前尋求專業建議。

熱議股票

  1. 1
     
     
     
     
  2. 2
     
     
     
     
  3. 3
     
     
     
     
  4. 4
     
     
     
     
  5. 5
     
     
     
     
  6. 6
     
     
     
     
  7. 7
     
     
     
     
  8. 8
     
     
     
     
  9. 9
     
     
     
     
  10. 10