智通財經APP獲悉，群智諮詢發文表示，在2026年的第二季度，全球Memory市場持續深陷於超級存儲周期的大環境裏。整個季度內，市場始終呈現出供需短缺的狀態，並且價格分化的特徵極為突出。二季度隨着新一代GPU的量產出貨，帶動HBM4和LPDDR需求增長以及服務器對eSSD的需求大幅增長，導致消費電子所應用的DRAM與NAND的供應緊張局勢持續，價格維持大幅度上漲。

DRAM：價格分化顯著，漲勢逐步趨緩

2026 年第二季度DRAM 價格延續了上揚的走勢，第三季度漲幅收斂。

消費電子 DRAM：以LPDDR4X/LPDDR5X為主的消費電子 DRAM 合約價格依舊保持着強勁的上漲態勢。一方面LPDDR為新一代服務器GPU架構的主力DRAM，供應爭奪促使存儲原廠擴大對消費電子客戶的價格漲幅，且部分消費電子客戶率先接受了價格上漲推動了大幅漲價的確立。根據#群智諮詢（Sigmaintell）的數據顯示，4GB的LPDDR4X 第二季度按月第一季度上漲了75%。然而，由於內存價格的攀升對消費電子市場需求造成了較大沖擊，同時消費電子終端已切實感受到成本壓力，部分品牌客戶開始逐步削減訂單數量，這或許將抑制下半年消費端DRAM的價格上漲幅度。

通用服務器DRAM：在消費類產品中，通用服務器 DRAM 的漲幅一馬當先。其渠道庫存一直維持在低位，僅有 2 - 3 周的水平，而云廠商又在不斷補充庫存，這使得該產品價格跟隨行業整體趨勢維持上漲行情。

AI 服務器 / HBM：作為 AI 領域不可或缺的核心產品，HBM 的產能被廠商優先保障供應。其價格已通過年度合同進行了鎖定，在 2026 年全年都保持穩定。當前，HBM 的供需矛盾極為尖銳，晶圓資源不斷向其集中。

從供需兩端及長期趨勢看，2026 年第二季度 DRAM 市場呈現上漲態勢，但上漲幅度呈現分化。需求端，AI 服務器強勁需求拉高了高帶寬內存需求，而消費電子領域需求兩極分化，中高端產品因性能與體驗需求對 DRAM 需求剛性強，低端產品因價格敏感需求受價格攀升抑制而下 ；供應端，高附加值內存產品量產，其複雜工藝加大生產難度、增加晶圓產能消耗，且原廠庫存低、擴產能力有限並優先保障 AI 客戶，導致消費端 DRAM 產能被擠壓、供應緊張。整體上，本季度 DRAM 供需短缺嚴峻，價格持續上漲但分化明顯。

NAND：漲勢延續，供給缺口增大

預計2026 年第二季度，NAND 閃存市場將延續此前的上揚態勢，價格漲勢愈發凌厲。根據群智諮詢（Sigmaintell）的數據，26年第二季度SSD 按月第一季度漲幅約為50%，而移動端UFS 季度漲幅按月擴大到約100%。

在服務器 / AI eSSD 領域，伴隨 AI 集群與智能體服務器的存儲容量大幅提升，服務器異構技術架構強化了動態數據存儲的性能、容量的需求，從而極大地刺激了數據存儲需求的增長。企業級 NAND 作為滿足此類需求的關鍵存儲介質，其需求展現出極強的增長。無論市場價格如何波動，企業級 NAND 的採購需求始終居高不下，促使其價格大幅攀升。

反觀 PC / 智能手機 等消費電子NAND 市場，儘管價格同樣有所上漲，但其背後卻隱含複雜態勢。由於消費電子市場的 NAND 供應遭到擠壓推動價格走高。然而，由於本地存儲的需求依然增長，以及供應端收縮低端NAND供應（如：小容量eMMC），使得消費端存儲NAND 的需求較難下降。

綜合來看，2026 年第二季度 NAND 閃存市場受服務器 / AI eSSD 需求驅動，需求剛性支撐價格強勢上揚；而 PC / 智能手機 NAND 市場雖價格上升，但因供應擠壓、價格過高抑制需求等因素，未來價格漲幅面臨收斂壓力。這不僅反映出 AI 技術對 NAND 市場需求結構的深刻重塑，也凸顯了不同市場領域在供需關係變化下的不同走向，預示着市場正處於動態調整與平衡的過程中。