IT之家 6 月 17 日消息，據韓媒 SEDaily 當地時間 12 日消息，三星電子在 2026 年度 IEEE VLSI 研討會上展示了全球首款 5nm MRAM（磁性隨機存取存儲器）的研發成果。

MRAM 結構示意

相較 DRAM，MRAM 的一大優勢是其具備非易失性(Non-Volatile)，無需頻繁刷新，幾乎可以無限期地保留信息，從而實現了能效端的優勢。

三星電子的 5nm MRAM 擁有 -40~+150 ℃ 的寬廣工作環境溫度範圍，能滿足 AEC-Q100 標準要求，正朝 2027 年量產的既定目標穩步推進。

IT之家注意到，三星電子今年早些時候在另一場學術會議上展示了 8nm MRAM，基於 8nm MRAM 的邊緣 AI 芯片也在今年 5 月完成了流片。