利基存儲受益於AI需求爆發與國際大廠產能轉向，迎來量價齊升超級周期；東芯股份、北京君正等國產廠商加速赴港上市與產品升級，搶佔國產替代窗口期。
受益於AI算力爆發、國際大廠產能向高端存儲傾斜，利基存儲芯片行業供需格局持續收緊，正式邁入量價齊升的紅利釋放期，國產替代進程同步加速。資本市場已率先反應，截至2026年6月2日，普冉股份(688766.SH)、兆易創新(603986.SH)和東芯股份(688110.SH)一年內的股價漲幅分別達到5.57倍、3.25倍和3.04倍。
從產業端來看，多家上市公司調研信息顯示，2026年利基存儲價格上行趨勢明確，相關公司一季度業績實現大幅增長，部分企業同步推進NAND與DRAM升級，拓展多芯片封裝、AI微控制器等多元化佈局。資本運作層面，東芯股份、北京君正等企業正加速推進赴港上市進程，進一步拓寬孖展渠道以支撐業務擴張。
供需失衡驅動利基存儲價格上行
相較於動輒數千億美元的主流存儲芯片市場，利基存儲是一個「小而美」的賽道。據弗若斯特沙利文估計，2025年全球專用型存儲(包括NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM等)市場規模預計為157億美元，其中利基型DRAM為99億美元，NOR Flash為31億美元，SLC NAND Flash為27億美元。儘管體量有限，這一細分市場正因AI算力需求的爆發而迎來前所未有的增長機遇。
本輪利基存儲漲價的核心邏輯在於AI算力需求引發的結構性供需失衡。在DRAM端，全球存儲大廠將產能大幅向DDR5、HBM等高利潤產品傾斜，主動收縮利基DRAM產能，導致供應趨緊。摩根士丹利今年5月發布的研報指出，DDR4價格將延續上行趨勢，2026年第三季度漲幅或達20%；2026年下半年供需缺口為19%—20%，2027年至2028年供需缺口維持在18%—20%。
在NAND領域，廠商大幅減產2D NAND，聚焦3D NAND，2D供給緊缺直接推升了SLC NAND Flash價格。TrendForce分析師指出，受三星2025年一季度宣佈停產2D NAND的影響，MLC NAND價格在約一年內累計漲幅達280%，SLC NAND預計今年二季度至四季度仍有約120%的上漲空間。與此同時，端側AI擴容拉動代碼存儲需求，NOR Flash供需偏緊，價格穩步抬升。
國產廠商業績爆發
供應鏈管理成核心競爭力
目前，國內存儲芯片設計公司主要產品均處於利基賽道。2026年第一季度，受益於存儲行業供給緊縮、產品價格進一步上行，國內存儲芯片設計公司業績整體表現亮眼。
其中，兆易創新是行業內銷售規模最大的公司，一季度實現營業收入41.88億元，按年增長119.38%，歸母淨利潤14.61億元，按年增長522.79%；毛利率按月提升12.17個百分點至57.08%。對於後續產品價格走勢，兆易創新認為，2026年供需偏緊將支撐利基DRAM、SLC NAND、NOR Flash價格續漲；2027年利基DRAM新增產能落地後，價格有望在高位震盪，不排除從峯值向下適當迴歸，但仍將維持在較高價格區間。
不同企業的價格傳導節奏存在差異。北京君正指出，其存儲芯片主要面向行業市場，價格調整節奏慢於消費市場。一季度國內客戶漲價較快，二三季度將有更多海外客戶執行新價格，公司預測後續季度價格仍將繼續上漲。
從下游應用領域來看，普冉股份認為，AI、新能源、工控、汽車四大賽道正託舉存儲需求，其中AI是帶動增長的核心驅動力，工業領域在經歷前期去庫存與需求低迷後已完成階段性築底，汽車領域整體需求保持穩健。
由於芯片設計公司採用Fabless模式，自身並不生產芯片，晶圓廠供貨持續緊張考驗着企業的供應鏈管理能力。東芯股份採取「本土深度、全球廣度」的供應鏈策略，與國內外多家知名晶圓代工廠和封測廠建立了長期穩定的戰略合作關係。兆易創新則加大了採購力度，根據公司披露的2026年日常關聯交易，全年預計從長鑫集團採購代工DRAM金額約57億元，較2025年實際發生的11.8億元大幅提升，主要源於公司自身料號演進以及行業整體供不應求背景下晶圓代工成本相應提升。
國產替代加速
從產品升級到多元化佈局
和主流存儲芯片產業趨勢相類似，利基型存儲正經歷產品換代與升級的關鍵節點，國產廠商由此迎來份額提升的重要窗口。從2025年起，AI需求的爆發使國際頭部廠商將產能大幅轉向HBM、DDR5以及3D NAND等高價值產品線，平面NAND(2D NAND)出現明顯供應短缺。在此背景下，國產芯片廠商在利基市場迅速打開局面。
以兆易創新為例，2026年一季度海外大廠持續縮減2D NAND產能，公司SLC NAND產品隨之進入缺貨漲價通道，收入按月大幅增長。公司自2025年下半年起協同供應商啓動擴產，2026年產能緩慢釋放，預計2027年將進一步放量。公司表示將積極把握2D NAND市場大廠退出帶來的市場份額提升機遇，期待2D NAND中期成為公司新的增長引擎。
普冉股份同步強化高端存儲佈局，已佈局16nm、32nm、41nm等多代際工藝的SLC NAND Flash產品線，產品已通過全球多家大型客戶的平台驗證，未來將繼續通過工藝迭代完善產品矩陣，持續提升在高端消費、工業與車規SLC NAND領域的市場佔有率。
值得注意的是，3D DRAM正成為利基存儲高端化升級的重要方向。3D DRAM可匹配AI服務器、數據中心、端側算力設備，滿足高帶寬、大容量、低時延的存力需求，未來應用場景將由服務器逐步延伸至車載電子、AI物聯網領域。北京君正正在開發3D DRAM以謀求全新的產品增長機遇，不過公司在5月26日接受機構調研時表示，由於DRAM產能整體緊張，投片進度受到一定影響，目前看有所延遲。
在行業整體呈現「聚焦主業+多元拓展」的分化格局下，多家存儲芯片公司開始從存儲向外延伸，打造特色產品線。微控制器(MCU)是其中涉足較為集中的領域。普冉股份董事長、總經理王楠在6月1日召開的業績說明會上對本刊表示，存儲系列芯片業務重心在於發揮超低功耗和高可靠性等優勢，聚焦NOR Flash和EEPROM等產品，服務消費、工業、家電及車規等領域客戶。「存儲+」系列芯片則基於存儲技術積累，向MCU、Driver(驅動)、Sensor(傳感器)等領域拓展，構建更為完善的產品矩陣，致力於為客戶提供一站式解決方案，目標是從「單一品類產品供應商」向「全品類解決方案服務商」轉型。公司的高端化實現路徑主要包括拓展大客戶和海外客戶，向高端工業、白電、人機交互和車規領域突破，提升產品在芯片尺寸、功耗控制、讀取速度等核心指標上的性能；同時通過收購SHM補全產品線，進入高端客戶群及高端賽道。
AI賦能正在成為MCU升級的主線。AI-MCU通過結合實時控制邏輯與設備端AI推理，保留了傳統MCU的精準硬件控制與超低功耗優勢，同時通過集成NPU大幅提升AI算法處理能力。北京君正的AI-MCU產品適用於智能家居、工業控制、醫療等領域；兆易創新則計劃推出集成NPU的AI-MCU產品，主要面向自動化、數字能源、AIoT等下游客戶。
資本賦能
東芯股份北京君正衝刺H股
借力利基存儲行業景氣窗口期，國內頭部存儲企業正加速推進H股上市，依託資本市場擴充實力、夯實全球化佈局。在兆易創新於2026年初先行登陸H股之後，東芯股份自5月23日開始籌劃赴港上市，北京君正則於5月26日二次向港交所提交申請資料，三家國內存儲龍頭的「港股集結」態勢已然形成。
利基存儲憑藉高可靠性與定製化優勢，在車規級、工業控制、航空航天等特種場景中具備不可替代性，成為企業差異化競爭的核心抓手。東芯股份在NOR Flash與DRAM領域堅持差異化競爭策略，NOR Flash產品製程達到48nm，結合MCP技術提供高集成度、小型化的存儲解決方案。北京君正在H股申請資料中表示，公司在2D NAND領域已有所積累，在3D NAND領域，eMMC、UFS等產品方案已可滿足汽車座艙與智駕場景的需求，後續將開發3D NAND產品，致力於成為汽車電子與工業存儲芯片的核心提供商。
部分企業並未止步於傳統存儲芯片，而是向計算芯片延伸，打造第二增長曲線。東芯股份通過戰略投資切入高性能GPU賽道，於2024年以自有資金2億元戰略投資上海礪算，2025年追加投資約2.11億元。公司在5月12日的業績說明會上表示，礪算科技首款自研GPU芯片7G100已於2025年完成首次流片並實現少量顯卡的客戶交付，目前量產及市場拓展工作正在有序推進中。
市場普遍判斷，這是一輪持續2—3年的「超級周期」，供需緊張格局至少延續至2027年。花旗預計2026年DRAM平均售價按年增速預期從此前的增長53%大幅上調至增長88%。對於國產廠商而言，國際大廠「棄低追高」的戰略傾斜，恰為國內利基存儲企業提供了寶貴的市場窗口期。隨着兆易創新、北京君正、東芯股份等設計企業在利基賽道持續深耕，國產存儲芯片的自主可控能力有望進一步提升，在全球存儲市場中佔據更重要的位置。
(本文已刊發於6月6日出版的《證券市場周刊》。文中提及個股僅為舉例分析，不作投資建議。)