Tradingkey - 隨着AI技術加速落地，全球高性能存儲芯片需求持續攀升。韓國兩大半導體巨頭SK海力士與三星電子近期相繼公布重大擴產計劃，全面佈局AI芯片供應鏈。

SK海力士：2034年晶圓產能將提高兩倍

SK集團董事長崔泰源近日向《日經亞洲》透露，SK海力士計劃到2034年將其晶圓總產能提升兩倍，以滿足人工智能驅動下不斷增長的存儲芯片需求，他預計晶圓產能將在五年內翻一番。

SK海力士已與主要供應商分享了其擴產計劃，核心目標是到2030年前後將DRAM晶圓月產能從目前約55萬片提升至約100萬片，其中來自中國無錫工廠約佔20萬片。

新增產能的大部分將來自龍仁半導體產業集群。SK海力士已將龍仁晶圓廠建設計劃大幅提前，首階段預計於明年初完工。龍仁一期工廠劃分為六個潔淨室，每個潔淨室啓用後將逐步增加6萬片月產能，到2030年上半年僅首廠即可新增36萬片DRAM月產能。

與此同時，SK海力士位於清州的M15X晶圓廠計劃於今年下半年開始運營，初始月產能為4萬片，預計2027年提升至約8萬片。結合龍仁一期與M15X的擴建貢獻，SK海力士的DRAM晶圓月產能有望在2030至2031年間達到約100萬片。

完成本土擴張後，SK集團還計劃與英偉達（NVDA）合作，於2028年至2029年間在日本建設一座AI數據中心。

三星電子：35年來首次新建封裝基地

三星電子正考慮在韓國光州市新建一座先進的半導體封裝工廠。這將是三星35年來首次打造封裝基地，也是繼平澤園區動工之後、11年來首次啓動重大半導體生產設施。

據韓國媒體報道，三星最快可能在6月29日舉行的韓國總統與企業集團負責人會議上正式公布這一投資計劃。光州新廠落成後，三星的封裝業務佈局將從傳統的忠清道重鎮（如牙山溫陽、天安）向南延伸至湖南地區。

在技術佈局方面，三星正大力擴充天安基地的HBM後端處理產能，目標是在2026年底前，將熱壓鍵合（TCB）月產能提升至23.1萬顆，混合銅鍵合（HCB）月產能提升至1.95萬顆。此外，三星計劃於2029年將HBM堆疊工藝從TCB全面切換為HCB，彰顯其對下一代先進封裝技術的持續投入。

海外佈局上，三星擬向越南投資約15億美元建設半導體測試設施。該設施已於2026年4月動工，預計2027年11月正式投產。

分析人士指出，隨着AI算力需求持續爆發，先進封裝與高性能存儲芯片已成為半導體產業競爭的戰略高地。SK海力士與三星正憑藉龐大的資本擴張和明確的產能規劃，積極搶佔AI時代的市場先機。

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