SK 海力士美國上市路演獲"極度正面"反饋,HBM定價優勢有望延續至明年

華爾街見聞
06/05

SK海力士正藉助AI芯片需求浪潮,加速推進美國上市計劃,並向投資者傳遞出強烈的市場信心信號。

據路透社援引一位知情人士透露,SK海力士本周向部分投資者表示,其美國上市計劃獲得了股東"極度正面"的反饋,理由是AI需求旺盛以及公司在存儲芯片市場的競爭優勢。

與此同時,該公司預計其高帶寬存儲芯片(HBM)的有利定價環境將延續至明年,相關客戶談判正在進行中。

此次路演釋放的積極信號,進一步鞏固了市場對SK海力士赴美上市的預期。該公司已於今年祕密提交美國上市申請,據悉募資規模最高可達140億美元,但具體規模與時間表尚未確定,美國證券交易委員會(SEC)的審查程序仍在進行中。

市值破萬億,AI需求驅動股價狂飆

SK海力士今年以來股價累計漲幅高達250%,上周市值突破1萬億美元,成為繼台積電三星電子之後,亞洲第三家跨越這一里程碑的企業。

這一漲勢的核心驅動力,是AI數據中心對先進存儲芯片需求的爆發式增長。AI算力基礎設施的快速擴張導致存儲芯片供應嚴重短缺,波及智能手機和個人電腦等下游行業,而SK海力士和三星等頭部存儲芯片廠商則從芯片價格飆升中直接受益。

作為英偉達的主要供應商,SK海力士在HBM市場佔據領先地位,這一競爭優勢是投資者對其美國上市計劃給予積極回應的重要原因之一。

赴美上市:打通美國機構投資者渠道

SK海力士推進美國存託憑證(ADR)發行的核心邏輯之一,在於拓寬投資者基礎。知情人士表示,部分美國機構投資者因內部授權限制,僅能投資在美上市股票,美國上市將使SK海力士得以直接觸達這一龐大資金池。

SK海力士表示:"SK海力士計劃於2026年內發行ADR,但包括規模和時間在內的具體細節尚未確定。"公司同時表示,由於SEC審查仍在進行,無法就上市進程提供具體更新。

HBM定價前景樂觀,供需缺口或延伸至2027年

在市場展望方面,SK海力士向投資者傳遞了較為積極的信號。知情人士稱,公司預計HBM芯片的有利定價環境將持續至明年,目前正就這類用於AI芯片組的先進存儲芯片的未來定價與客戶展開談判。

此外,SK海力士還指出,英偉達下一代Vera Rubin AI平台對LPDDR存儲芯片——一種通常應用於手機和平板電腦的低功耗芯片——的強勁需求,可能從2027年起進一步收緊整體存儲市場的供應。

面對潛在的供需失衡,SK海力士表示將調整投資計劃和產品結構以最大化產出,但同時也坦承,鑑於需求預計將大幅超過供給,公司難以保證能夠完全滿足所有需求。

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