12月10日，恩智浦一紙關廠公告，疊加此前臺積電的代工停擺，給火熱的氮化鎵賽道澆了一盆冷水。然而，這種「巨頭離場」的表象之下，實則暗流湧動：英諾賽科在港交所敲鐘上市並大幅擴產，全球功率霸主英飛凌砸下50億歐元擴建馬來西亞超級工廠，德州儀器（TI）試圖用12英寸產線將成本殺至地板價，MACOM則吞下Wolfspeed的資產築起軍工堡壘。舊時代的帷幕啱啱落下，新巨頭的角鬥場才真正開啓。
戰略收縮：巨頭的理性「止損」與資產優化
2025年下半年，兩大行業巨頭的動作揭示了資本對射頻氮化鎵市場的重新定價。
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恩智浦：5G夢醒後的決斷
近期，隨着分析機構EJL Wireless Research在Linkedin上的一則爆料，恩智浦正式確認將關閉其位於美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的「Echo」晶圓廠，該廠定於2027年第一季度生產最後一批晶圓後謝幕。
「Echo」晶圓廠並非泛泛之輩，它是恩智浦於2020年9月高調投產的旗艦項目。彼時，恩智浦半導體執行副總裁兼總經理保羅·哈特（Paul Hart）曾對其寄予厚望，豪言該廠將於當年底達到滿負荷生產。為此，恩智浦在2018至2020年間投入約1億美元（超7億人民幣），專門打造6英寸GaN-on-SiC產線，意圖主宰5G基站射頻功率放大器（PA）市場。
然而，僅僅運行不到五年，該工廠便黯然落幕。財報數據揭示了背後的無奈：2024年，恩智浦「通信基礎設施及其他」業務收入下滑近20%，不足17億美元；進入2025年，前九個月收入同比進一步暴跌25%，僅餘9.62億美元。
嚴酷的現實表明，在復甦前景黯淡的射頻市場空耗現金流已不合時宜。恩智浦選擇向「Fab-Lite」（輕晶圓廠）模式轉型，關閉老舊產線，將資源聚焦於核心的汽車電子與工業控制，或通過參與德國ESMC等合資項目獲取更具成本優勢的300mm產能。
02
臺積電：AI浪潮下的「戰略性斷舍離」
作為晶圓代工霸主，臺積電在2025年7月做出逐步退出GaN代工業務的決定，同樣震動了業界。臺積電明確表示，將在2027年中前完全停止GaN代工服務，並將原本負責該業務的新竹Fab 5廠逐步轉型為先進封裝（CoWoS）產能。
這一決策背後是極致的資源博弈。在AI芯片需求井噴的當下，先進製程與封裝產能「寸土寸金」。雖然GaN業務穩步增長，但其基於6英寸晶圓的營收貢獻與利潤率，遠無法與服務於英偉達（NVIDIA）等客戶的12英寸AI產線相提並論。臺積電的退出，實質上是先進邏輯製程對特色功率工藝的一次資源擠出。
此舉迫使供應鏈迅速重構：格芯（GlobalFoundries）藉機承接了溢出的商業與國防訂單，利用美國《芯片與科學法案》資金強化本土製造；而力積電則利用其在存儲製造中的成本控制經驗，開發基於180nm節點的200mm GaN-on-Si工藝，成為了Fabless（無晶圓設計）廠商新的避風港。
陣痛與洗牌：Fabless模式邁入調整期
臺積電的離場，將高度依賴代工服務的Fabless廠商推向了風口浪尖，其中納微半導體（Navitas）的遭遇尤為典型。
受臺積電業務調整影響，納微被迫在2025年宣佈將其主要晶圓代工方轉移至力積電。在半導體行業，更換晶圓廠風險大、耗時長，涉及長達12-24個月的重新認證週期與良率爬坡風險，期間極易被競爭對手搶佔市場份額。
供應鏈危機疊加業績壓力，引發了納微管理層的劇烈動盪。聯合創始人兼CEO Gene Sheridan於2025年8月卸任，CTO Dan Kinzer也辭去高管職務。創始團隊的集體淡出，標誌着納微「創業講故事」時代的終結，公司被迫進入由職業經理人主導的「止血求生」階段。
與此同時，美國獨立IDM陣營在2024-2025年間也經歷了劇烈整合。Wolfspeed為了全力押注碳化硅（SiC），以1.25億美元的「白菜價」將射頻GaN業務剝離給MACOM，以支撐其莫霍克谷工廠的鉅額開支；曾被視為技術標杆的Transphorm則被日本瑞薩電子收購，標誌着美國本土又失去了一家獨立的GaN技術持有者。
西線反擊：歐美IDM巨頭的差異化進擊
與代工業務的收縮相反，擁有垂直整合能力（IDM）的歐美巨頭正在通過差異化路線瘋狂擴張。
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MACOM：喫下CHIPS法案紅利的軍工巨鱷
MACOM走了一條「去商業化」的軍工高端路線。在收購Wolfspeed射頻業務後，MACOM於今年1月宣佈了高達3.45億美元的五年投資計劃，藉助CHIPS法案資金，對其馬薩諸塞州和北卡羅來納州的工廠進行現代化改造，核心是將產線升級為6英寸GaN-on-SiC。
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德州儀器（TI）：95%自造率的成本碾壓
模擬芯片之王TI則試圖用「硅的邏輯」重塑GaN市場。2024年底，TI在日本會津工廠量產GaN器件，產能瞬間翻了兩番。更具威懾力的是，TI正在達拉斯總部利用12英寸產線進行GaN試點。一旦導入成功，其成本將呈指數級下降。TI明確提出2030年實現95%芯片內部製造的目標，意圖通過超大規模製造壓低邊際成本，從而佔領更大份額市場。
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英飛凌（Infineon）：打造虛擬超級工廠
德國巨頭英飛凌正在執行「One Virtual Fab（虛擬工廠）」戰略，打通奧地利菲拉赫與馬來西亞居林的產能。One Virtual Fab是一種先進的製造模式，旨在通過數字技術將不同地理位置的生產基地緊密連接，實現技術、流程和產能的協同優化，以提升效率和快速響應市場需求。
2025年，投資高達50億歐元的居林第三工廠啓動擴建，重點生產8英寸GaN和SiC晶圓。英飛凌正試圖確立「硅+碳化硅+氮化鎵」的全能霸權，在AI數據中心急需的鈦金級電源市場構築防線。
東線崛起：中國力量的全產業鏈突圍
在中國市場，一條從設計到製造的全產業鏈正在快速發展，並展現出強大的市場穿透力。
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英諾賽科：產能怪獸的資本首秀
作為全球最大的8英寸硅基氮化鎵IDM廠商，英諾賽科被視為逼退臺積電消費級業務的重要推手。2024年底至2025年初，英諾賽科成功登陸港股，募資約14億港元。其招股書披露的計劃顯示，產能將從2024年的1.25萬片/月狂飆至2029年的7萬片/月。
基石投資者意法半導體（ST）的出現，更暗示了「歐洲設計+中國製造」的新聯盟可能。2025年上半年，英諾賽科營收大漲43%並首次實現毛利轉正，證明了其IDM模式在成本控制上的成功。然而，由於持續的高額研發投入和產線折舊，公司在淨利潤層面仍處於虧損狀態，這在IDM企業的擴張初期屬於典型特徵。
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三安集成與芯聯集成：車規與射頻的雙輪驅動
三安集成在射頻與功率領域雙線並進。其與意法半導體在重慶的合資工廠預計於2025年三季度量產8英寸SiC和GaN器件，精準卡位中國電動汽車市場。同時，其射頻GaN業務在5G-A基站和低軌衛星領域保持了穩定的現金流。
前身為中芯集成的芯聯集成，則利用IGBT和SiC的車規經驗，將「零缺陷」管理引入GaN製造，並提供「系統代工」服務。其車規功率模塊收入在2024年實現翻倍增長，成功實現EBITDA轉正，成為汽車Tier 1廠商的重要合作伙伴。
此外，潤新微憑藉D-Mode技術實現差異化發展，新微半導體在硅光與射頻SOI領域進行工藝孵化，氮硅科技在驅動芯片設計上取得突破，他們共同構成了中國GaN產業豐富而堅韌的生態底色。
結語：產業邏輯的深刻嬗變
縱觀2025年的產業全景，我們可以提煉出驅動市場變革的三大底層邏輯。
首先，射頻與功率徹底分道揚鑣。NXP和Wolfspeed退出的皆是射頻GaN，而英飛凌、TI與英諾賽科爭奪的則是功率GaN。前者回歸軍工與特種應用，後者則在AI與汽車浪潮中迎來爆發。
其次，IDM模式加冕，Fabless日漸式微。臺積電的退出與納微的危機證明，在第三代半導體領域，器件性能高度依賴材料與工藝的耦合。無法掌控生產流程的Fabless模式，在成本與良率上難以與IDM抗衡。
最後，供應鏈邏輯正在深刻重構。在追求自主可控與供應穩定的趨勢下，氮化鎵產業正從單一的市場競爭，轉向以區域化佈局為特徵的深度深耕。
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