近期，Wolfspeed、英飛凌、安森美、天岳先進、三安光電等國內外頭部SiC（碳化硅）半導體企業陸續發布2025年半年度報告或季報。數據顯示，國內企業借SiC東風快速崛起，國際巨頭則因轉型緩慢面臨挑戰。這場由技術革新引發的市場變局，不僅重塑行業競爭格局，也為相關產業鏈帶來新的發展契機。

　　多位業內人士在接受《中國經營報》記者採訪時表示，當前SiC對IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的替代進程已進入關鍵階段，國內功率半導體企業憑藉技術追趕和成本優勢，正在全球市場中佔據更有利的位置，而國際巨頭若不能加快轉型步伐，或將面臨市場份額被蠶食的風險。這種此消彼長的態勢，預示着2025年將成為決定行業未來走向的重要轉折點。

　　SiC 價格雪崩式下跌

　　SiC作為第三代半導體的核心材料，憑藉其優異的物理特性，在新能源汽車、光伏儲能和5G通信等領域展現出廣闊的應用前景。

　　進入 2025 年，SiC 市場價格走勢成為行業關注焦點。自年初以來，SiC 器件價格呈現雪崩式下跌，部分產品價格已低於傳統 IGBT，這一現象加速了SiC對IGBT 的替代進程。市場研究機構數據顯示，2025 年第一季度，6英寸SiC 襯底平均價格較去年同期下降 40%，從年初的4000—4500元/片降至 2500—2800 元 / 片，已逼近部分企業成本線。而在模塊市場，國產 6 並碳化硅模塊（6個並聯的碳化硅模塊）價格已低至 1500 元，國際廠商同類產品也降至 2000 元以內。

　　實際上，近幾年 SiC 襯底的價格在持續走低。從天岳先進披露的數據來看，其銷售的襯底價格也持續下跌，2022—2024年，該公司碳化硅襯底的銷量分別為6.38萬片、22.63萬片、36.12萬片，但平均售價分別為每片5110.4元、4798.0元、4080.1元。

　　在業內人士看來，價格大幅下跌主要歸因於供需關係發生了變化。一方面，隨着新能源汽車、光伏儲能等下游市場此前對 SiC 需求呈現井噴式增長，外加過去幾年大量資本湧入 SiC 產業，促使產能迅速擴張。2024 年國內 6 英寸 SiC 襯底產能按年增長 40%，全球範圍內 SiC 晶圓有效產能從 2022 年的 46 萬片（摺合 6 英寸）激增至 2025 年的 390 萬片。另一方面，市場需求在經歷前期爆發後，增長速度有所放緩。2025年全球SiC 襯底需求量預計為250萬—300萬片，供過於求局面加劇了價格競爭。

　　鹿客島科技創始人兼CEO盧克林表示，價格雪崩只是「產能堰塞湖」泄洪，不是常態。6英寸SiC襯底良率已破70%，國內月產能衝到60萬片，短期殺價清庫存，但襯底仍佔芯片成本的45%，再跌就擊穿現金成本。預計到2026年第二季度價格將觸底，之後隨着汽車主驅模塊上車高峯迴彈，預計僅比IGBT貴10%—15%，靠系統節電優勢維持。中長期看，降價將把行業推入「性能冗餘」時代。

　　在新智派新質生產力會客廳聯合創始發起人袁帥看來，2025年SiC價格出現雪崩式下跌且部分產品價格低於IGBT，這種價格走勢是否持續將受到多方面因素的綜合影響。從短期來看，價格下跌可能是市場供需關係調整的結果。隨着SiC生產技術的不斷進步和產能的逐步釋放，供應量大幅增加，而市場需求在初期可能未能同步快速增長，導致供過於求，價格下滑。然而，從中長期視角分析，價格走勢存在不確定性。一方面，若SiC在新能源汽車、光伏儲能等領域的應用持續拓展，市場需求將持續增長，且生產成本的降低速度跟不上需求增長的速度，價格可能會止跌回升。另一方面，如果技術突破使得生產成本進一步大幅下降，或者競爭對手推出更具性價比的替代產品，價格可能會繼續維持在較低水平甚至進一步下跌。

　　海內外市場冰火兩重天

　　隨着 SiC 價格不斷下探，SiC正在全面替代 IGBT，海內外的相關企業業績表現呈現冰火兩重天的局面。國際功率半導體巨頭如 Wolfspeed，曾是 SiC 領域的領軍企業，但由於過度激進的擴產策略以及市場競爭加劇，陷入嚴重財務困境。2025 年，Wolfspeed 因債務危機申請破產保護，其 8 英寸晶圓廠產能利用率僅 20%—25%，市場份額被競爭對手蠶食。同樣面臨挑戰的還有英飛凌、意法半導體等企業，儘管在高端車規級 SiC 市場仍佔據一定優勢，但受國產 SiC 產品低價衝擊，利潤率下降至 20% 以下。

　　相比之下，國內功率半導體企業藉助本土產業鏈優勢和政策支持，在 SiC 領域取得了快速發展。以比亞迪半導體為例，作為國內較早佈局 SiC 產業的企業之一，已實現 SiC 襯底、外延、芯片及模塊的全產業鏈自主研發與生產。2025 年上半年，比亞迪半導體 SiC 業務營收按年增長 200%。此外，斯達半導、華潤微、宏微科技等企業也在 SiC 領域積極佈局，取得了一系列技術突破和市場進展。其中，斯達半導的車規級 SiC 模塊已實現批量供貨，市場份額穩步提升；華潤微的碳化硅和氮化鎵功率器件銷售收入按年實現高速增長，SiC 模塊在汽車電子、光伏逆變等領域實現銷售。

　　盧克林認為，雖然Wolfspeed 8英寸產線領先，但美國本土缺乏整車放量，襯底外銷模式碰上跌價立刻庫存高企；比亞迪半導體把SiC單管直接封裝進「三合一」電驅，車規驗證數據實時迴流，三個月迭代一代，成本曲線比國際同行快兩倍。海外IDM還在賣分立器件，國內已經把芯片做成模塊，再把模塊寫成系統方案綁定整車廠，賣的是百公里電耗節省，不是裸片價格，業績分化順理成章。

　　袁帥補充道，國內政府出台了一系列鼓勵功率半導體產業發展的政策，為國內企業提供了資金支持、稅收優惠等有利條件，促進了企業的快速發展。同時，國內形成了較為完整的功率半導體產業生態，上下游企業之間協同發展，為國內企業提供了良好的發展環境。而國際巨頭所在的國家或地區的政策支持力度可能相對較小，產業生態的協同效應也不如國內明顯，這在一定程度上影響了其業績表現。

　　國內迎來黃金髮展期

　　據Yole預測，2027年全球碳化硅功率器件市場規模將達到62.97億美元；TrendForce數據顯示，其2023—2028年複合年增長率（CAGR）高達25%；沙利文則進一步預測，2030年全球碳化硅襯底端市場規模將增長至人民幣664億元。

　　袁帥認為，近年來，國內企業在SiC技術研發和生產方面取得了顯著進展，產品質量和性能不斷提升，成本逐漸降低。國內龐大的市場需求為國內企業提供了廣闊的發展空間，通過不斷滿足國內客戶的需求，國內企業能夠積累豐富的經驗，提升自身的競爭力。同時，國內企業積極拓展海外市場，加強與國際客戶的合作，有望在全球功率半導體市場中佔據更大的份額，成為全球功率半導體產業的重要力量。

　　盧克林表示，2028年SiC將佔功率半導體出貨量的25%、金額的45%，硅基IGBT雖然將退至55%，但仍掌握量大價低底盤。中國廠商有望拿下全球35%的襯底、50%的器件和70%的模塊產能，成為「第二供應商」首選。

　　「機會在於，本土8英寸產線2026年集體投產，成本再降30%；儲能、超充、重卡三大增量市場同步爆發，單輛重卡SiC用量是乘用車的4倍。」盧克林認為，「挑戰同樣尖銳：襯底良率60%到80%每提升一個點需要6個月，設備、耗材、EDA等面臨供應鏈安全隱患；歐美的碳邊境稅和IRA（美國《通脹削減法案》）補貼把供應鏈切成‘東西兩塊’，出口模塊可能面臨20%額外關稅。能否把成本優勢轉化為標準話語權，是未來三年國產SiC的生死線。」

（文章來源：中國經營網）