異動解讀 | 存儲芯片行業景氣度飆升,Roundhill Memory ETF夜盤大漲5.26%

異動解讀
06/18

追蹤存儲芯片行業的Roundhill Memory ETF(代碼:DRAM)今日夜盤大幅上漲5.26%,表現強勁。

消息面上,存儲芯片行業近期迎來多重利好。據行業數據,一季度全球DRAM與NAND Flash市場規模合計達1371.4億美元,按年增長245%,再創歷史季度新高。受AI數據中心需求持續增長推動,存儲芯片供需趨緊程度超出預期,短缺局面或至少持續至2028年。此外,二季度新一代GPU量產出貨帶動HBM4和LPDDR需求增長。

行業高景氣度也獲得了多家機構的認可,摩根士丹利大幅上調半導體行業收入預測。同時,消費端存儲芯片價格維持大幅上漲態勢,例如閃迪(SanDisk)一款8TB固態硬盤的定價已遠超其配套的遊戲主機,凸顯了產業鏈面臨的成本壓力。SK海力士與三星電子在HBM4E等先進技術上的競速,以及主要廠商相對剋制的產能擴張,進一步加劇了市場對供應緊張的預期,從而推動了相關ETF的價格上漲。

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