追蹤內存/存儲芯片行業的Roundhill Memory ETF (DRAM) 今日盤前交易中大幅下跌5.11%，引發了市場對該板塊的廣泛關注。

消息面上，多重利空因素共同打壓了存儲芯片板塊的情緒。首先，地緣政治風險顯著升溫，美伊衝突再度升級引發了全球市場的避險情緒，科技股及半導體板塊普遍承壓。其次，行業研究機構SemiAnalysis發布的最新研報指出，AI數據中心的關鍵技術路徑，包括800VDC電源架構和共封裝光學(CPO)的量產與交付節奏出現顯著延期，這引發了市場對未來高端存儲需求增長可持續性的擔憂。

此外，市場對於AI基礎設施投資的熱情也出現降溫跡象。有分析指出，衡量AI使用支付意願的Token支出指數在近期出現回落，科技巨頭內部也開始遏制無效的AI算力消耗。這令投資者擔憂支撐存儲芯片需求的AI資本開支可能放緩，從而影響了存儲芯片ETF的短期表現。