Roundhill Memory ETF（DRAM）今日盤前大漲5.01%，引起了市場的廣泛關注。

消息面上，全球存儲芯片市場供需失衡態勢持續加劇。機構數據顯示，今年DRAM供需缺口約8%，NAND閃存缺口約5%，且緊缺態勢可能延續至2027年。與此同時，人工智能（AI）驅動的結構性需求成為核心增長動力，下一代AI服務器平台對DRAM容量的需求大幅拉升。

行業基本面強勁支撐市場情緒。今年第一季度，全球NAND閃存整體銷售額按月大幅增長90%，DRAM內存銷售額按月漲幅也達到80%。存儲芯片價格持續上漲，行業景氣度高漲。此外，行業巨頭如SK海力士計劃在2034年前將晶圓產能擴大至三倍，三星電子也計劃新建先進封裝工廠，這些積極的產能擴張計劃進一步印證了市場長期需求的樂觀預期。OpenAI首席執行官即將訪問三星電子商討AI合作事宜的消息，也強化了AI應用將帶動存儲芯片需求的預期。這些因素共同推動了追蹤存儲芯片行業的Roundhill Memory ETF在盤前交易時段顯著上揚。