追蹤存儲芯片行業的Roundhill Memory ETF（代碼：DRAM）今日盤前大幅上漲6.45%，表現十分強勁。

消息面上，存儲芯片行業近期迎來多重利好共振。行業數據顯示，一季度全球DRAM與NAND Flash市場規模合計達1371.4億美元，按年增長245%，再創歷史季度新高。德銀最新供需模型顯示，當前DRAM供需緊張局面可能持續至2028年甚至更久，供應緊張難以緩解。

與此同時，人工智能（AI）熱潮持續推動行業需求。二季度新一代GPU量產出貨帶動HBM4和LPDDR需求增長，AI服務器單台DRAM用量約為傳統服務器的8倍，進一步加劇了供應壓力。此外，SK海力士與三星電子在HBM4E等先進內存技術上的競速突破，也鞏固了市場對行業長期高景氣度的信心。消費端存儲芯片價格維持大幅上漲態勢，閃存價格上半年已翻倍，甚至出現一塊遊戲機擴展硬盤的價格抵得上三台完整主機的極端案例，凸顯了全產業鏈面臨的成本壓力與供應短缺現狀。