天眼查App显示，2026-01-09，“半导体结构及其形成方法”正式进入公布阶段。申请人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，该项半导体技术专利涉及光刻工艺中的对准标记结构设计与制造。据专利信息显示，通过在对准标记中设置凹槽，并依次形成透光层与不透光层，使得不透光层外形轮廓与对准标记相近似，显著优化了图形传递精度。发明人为宋孟夏;尹卓。一种半导体结构及其...
网页链接天眼查App显示，2026-01-09，“半导体结构及其形成方法”正式进入公布阶段。申请人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，该项半导体技术专利涉及光刻工艺中的对准标记结构设计与制造。据专利信息显示，通过在对准标记中设置凹槽，并依次形成透光层与不透光层，使得不透光层外形轮廓与对准标记相近似，显著优化了图形传递精度。发明人为宋孟夏;尹卓。一种半导体结构及其...
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