前言近年来，从充电头网多款拆解报告中我们可以看到，英诺赛科推出的GaN功率器件广泛应用于大功率快充LLC电路中。在传统的LLC电路中常常选用高压MOS作为初级功率器件应用。然而随着快充功率需求和功率密度的不断攀升，传统硅MOS逐渐成为瓶颈，限制了整体功率密度的提升。此时，英诺赛科的氮化镓功率器件凭借其优异的高频特性和低损耗优势，为LLC架构带来了新的突破空间。英诺赛科在快充LLC电路的应用文中出现...
网页链接前言近年来，从充电头网多款拆解报告中我们可以看到，英诺赛科推出的GaN功率器件广泛应用于大功率快充LLC电路中。在传统的LLC电路中常常选用高压MOS作为初级功率器件应用。然而随着快充功率需求和功率密度的不断攀升，传统硅MOS逐渐成为瓶颈，限制了整体功率密度的提升。此时，英诺赛科的氮化镓功率器件凭借其优异的高频特性和低损耗优势，为LLC架构带来了新的突破空间。英诺赛科在快充LLC电路的应用文中出现...
网页链接免责声明：投资有风险，本文并非投资建议，以上内容不应被视为任何金融产品的购买或出售要约、建议或邀请，作者或其他用户的任何相关讨论、评论或帖子也不应被视为此类内容。本文仅供一般参考，不考虑您的个人投资目标、财务状况或需求。TTM对信息的准确性和完整性不承担任何责任或保证，投资者应自行研究并在投资前寻求专业建议。