金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“悬浮屏蔽层的制造方法”的专利，公开号CN119905492A，申请日期为2025年1月。专利摘要显示，本发明提供了一种悬浮屏蔽层的制造方法，在衬底上形成覆盖顶层金属层的顶层金属介质层，然后对顶层金属介质层进行刻蚀，形成具有屏蔽层图案的屏蔽层凹槽并在所述屏蔽层凹槽内沉积金属屏蔽层，然后进行钝化层沉积、...
网页链接免责声明：投资有风险，本文并非投资建议，以上内容不应被视为任何金融产品的购买或出售要约、建议或邀请，作者或其他用户的任何相关讨论、评论或帖子也不应被视为此类内容。本文仅供一般参考，不考虑您的个人投资目标、财务状况或需求。TTM对信息的准确性和完整性不承担任何责任或保证，投资者应自行研究并在投资前寻求专业建议。